В Новосибирской области стартует амбициозный проект по разработке уникальной установки, которая нацелена на преодоление существующих технологических ограничений в области оптической литографии. Это важно для повышения уровня отечественного производства микросхем. Реализация проекта будет происходить на базе синхротрона СКИФ, запуск которого запланирован на 2026 год, как сообщают в пресс-службе Новосибирского госуниверситета Про Город Пермь.
СКИФ представляет собой первый в России и один из самых мощных в мире источников синхротронного излучения четвёртого поколения. Он обеспечит получение максимально точных данных о структуре различных материалов. Первоначально запуск объекта был запланирован на 2024 год, однако сроки перенесли на конец 2025 года. По сообщениям руководителей СО РАН, пуск может состояться в середине следующего лета, и президент Владимир Путин выразил намерение присутствовать на открытии.
Ученые Новосибирского госуниверситета предложили создать опытный рентгеновский литограф под названием «Орел-7», который станет частью инфраструктуры СКИФ. Основной задачей установки будет преодоление технологического ограничения на уровне 28 нанометров, что позволит приблизить разработку российских процессоров нового поколения. В микроэлектронике это значение критично, так как связано с плотностью размещения транзисторов: чем меньше масштаб, тем выше производительность и экономия энергии.
На базе СКИФ планируется организовать рентгеновскую станцию, которая будет предназначена для литографического оборудования нового типа. Переход на рентгеновский диапазон откроет возможность формировать более мелкие структуры и повысить разрешение при одновременном снижении стоимости производства. В Новосибирском госуниверситете подчеркивают, что такая технология может существенно укрепить потенциал российской микроэлектроники.
Разработкой нового литографа займутся специалисты центра искусственного интеллекта, которые будут создавать цифровые модели промышленного оборудования. В этом процессе также будут задействованы ресурсы научных институтов СО РАН, работающих в области физики полупроводников и моделирования.
По словам одного из авторов проекта, исследователи надеются, что совместная работа позволит выйти за пределы 28-нанометрового стандарта, который представляет собой ключевой этап третьего перехода в микроэлектронике. Опытный образец литографа будет создан на СКИФ, что даст возможность подробно изучить физические процессы и оптимизировать параметры. В то же время аналогичная система планируется для внедрения на синхротроне в Зеленограде, что позволит провести дальнейшую промышленную отладку.